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Circuitos y dispositivos microelectrónicos / Mark N. Horenstein

Por: Tipo de material: TextoTextoIdioma: es Detalles de publicación: Naucalpan de Juárez : Prentice-Hall Hispanoamericana, 1997Edición: 2a edDescripción: xxvi, 1126 p. : fig., tablas ; 27 cmTipo de contenido:
  • texto
Tipo de medio:
  • sin mediación
Tipo de soporte:
  • volumen
ISBN:
  • 9688807079
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Libros Libros Biblioteca "Ing. Alcides R. Martínez" Colección general 621.38 H781 (Navegar estantería(Abre debajo)) Buen Estado Disponible 1414

Incluye índice alfabético

CAPÍTULO 1 REPASO DE LA TEORÍA DE LOS CIRCUITOS LINEALES
1.1 Leyes de corriente y de voltaje de Kirchhoff
1.2 Notación de canal (bus) de voltaje
1.3 Definición de la característica voltaje-corriente
1.4 Superposición en circuitos lineales
1.5 Circuitos resistivos
1.6 Circuitos equivalentes Thévenin
1.7 Circuitos equivalentes Norton
1.8 Divisores de voltaje y de corriente
1.9 Circuitos resistor-capacitor de una sola constante de tiempo
1.9.1 Respuesta transitoria del circuito RC
1.9.2 Respuesta del circuito RC en régimen sinusoidal permanente
CAPÍTULO 2 AMPLIFICADORES OPERACIONALES
2.1 Amplificador operacional de circuito integrado
2.2 Modelo simplificado del amplificador operacional
2.3 Aproximación ideal del amplificador operacional
2.4 Circuitos lineales con amplificador operacional
2.4.1 Amplificador no inversor
2.4.2 El corto virtual
2.4.3 Amplificador inversor
2.4.4 Resistencia de entrada
2.4.5 Amplificador operacional seguidor de voltaje
2.4.6 Amplificador diferencial
2.4.7 Amplificador de instrumentación
2.4.8 Amplificador sumador
2.4.9 Amplificador operacional con una red de retroalimentación puente T
2.4.10 Integrador
2.4.11 Diferenciador
2.5 Circuitos no lineales
2.5.1 Comparador e indicador de polaridad de lazo abierto
2.5.2 Disparador Schmitt
2.6 Propiedades no ideales de los amplificadores operacionales
2.6.1 Niveles de saturación de salida
2.6.2 Voltajes de desvío de entrada y de salida
2.6.3 Corrientes de polarización y de desvío de entrada
2.6.4 Limitación de la rapidez de respuesta
2.6.5 Límite de corriente de salida
2.6.6 Respuesta en frecuencia finita
2.6.7 Producto ganancia-ancho de banda
CAPÍTULO 3 INTRODUCCIÓN A LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO NO LINEALES
3.1 Propiedades básicas de los elementos no lineales
3.2 Análisis gráfico con un elemento de circuito no lineal
3.3 Ejemplos de dispositivos no lineales de dos terminales
3.3.1 Materiales semiconductores
3.3.2 Características físicas del diodo de unión PN2
3.3.3 Característica voltaje-corriente del diodo de unión PN
3.3.4 Diodo Zener
3.3.5 Unión PN bajo un voltaje de polarización inversa grande
3.3.6 Diodo Schottky
3.3.7 Diodo varactor
3.3.8 Diodo túnel
3.3.9 Varistor de metal-óxido
3.4 Método gráfico con fuentes que varían con el tiempo
3.5 Soluciones matemáticas iterativas
3.6 Modelado por segmentos lineales de dispositivos no lineales de dos terminales
CAPÍTULO 4 PROCESAMIENTO Y ACONDICIONAMIENTO DE SEÑALES CON DISPOSITIVOS NO LINEALES DE DOS TERMINALES
4.1 La característica de transferencia
4.2 Circuitos de corte y limitación
4.3 Circuitos rectificadores
4.3.1 Rectificador de media onda
4.3.2 Puente rectificador
4.4 Circuitos de fuente de alimentación
4.4.1 Fuente de alimentación con rectificador de media onda
4.4.2 Fuente de alimentación con rectificador de onda completa
4.4.3 Fuente de alimentación con carga no resistiva
4.4.4 Regulación de voltaje
4.4.5 Circuitos rectificador-capacitor para procesamiento de señales
4.5 Circuitos rectificadores de precisión
4.5.1 Rectificador de media onda de precisión
4.5.2 Limitador de precisión
4.5.3 Rectificador de media onda de precisión modificado con ganancia
CAPÍTULO 5 DISPOSITIVOS DE TRES TERMINALES
5.1 Definición de un dispositivo de tres terminales
5.2 Transistores de efecto de campo
5.2.1 Estructura física del MOSFET incremental de canal n
5.2.2 Resumen de ecuaciones v-i del MOSFET incremental de canal n
5.2.3 MOSFET decremental
5.2.4 Voltaje fuente a sustrato distinto a cero (efecto de cuerpo)
5.2.5 Sobreesfuerzo electrostático y descarga electrostática
5.2.6 Transistor de efecto de campo de unión
5.2.7 Curva de transconductancia FET
5.2.8 Transistores de efecto de campo de canal P
5.2.9 Transistor de efecto de campo de metal semiconductor (MESFET) de arseniuro de galio (GaAs)
5.3 Transistor de unión bipolar
5.3.1 Estructura física del transistor bipolar
5.3.2 Características v-i del BJT NPN
5.3.3 BJT PNP
5.4 Características v-i del transistor con pendiente positiva
5.4.1 Pendiente positiva de las características v-i del FET
5.4.2 Pendiente positiva de las características v-i del BJT
5.5 Dispositivos fotónicos
5.5.1 Fotodiodo
5.5.2 Fototransistor
5.5.3 Diodo emisor de luz
5.5.4 Diodo láser
5.5.5 Circuitos optoelectrónicos
5.6 Dependencia de los dispositivos a la temperatura
5.6.1 Dependencia del MOSFET y del JFET a la temperatura
5.6.2 Dependencia de un diodo de unión pn y un BJT a la temperatura
5.7 Limitaciones de potencia en la operación de dispositivos
CAPÍTULO 6 CIRCUITOS BÁSICOS CON DISPOSITIVOS DE TRES TERMINALES
6.1 Configuración de inversor
6.1.1 Inversor BJT
6.1.2 Inversor MOSFET
6.1.3 Inversor CMOS
6.2 Configuración de seguidor de voltaje
6.2.1 Seguidor de voltaje BJT
6.2.2 Seguidor de voltaje MOSFET
6.3 Configuración de seguidor de corriente
6.3.1 Seguidor de corriente BJT (amplificador de base común)
6.3.2 Configuración cascode BJT
6.3.3 Seguidor de corriente MOSFET
6.3.4 Cascode MOSFET con carga MOSFET
6.4 Operación en el régimen digital
6.4.1 El transistor como un interruptor
6.4.2 El inversor como una compuerta lógica digital
6.4.3 Inversor lógico BJT
6.4.4 Inversor lógico CMOS
6.4.5 Inversor lógico NMOS
6.4.6 Efecto de un voltaje fuente a sustrato distinto a cero (efecto de cuerpo)
CAPÍTULO 7 AMPLIFICACIÓN ANALÓGICA
7.1 Definición de una señal
7.2 Circuitos activos y pasivos
7.3 Polarización
7.3.1 Conceptos generales de la polarización
7.3.2 Técnicas de polarización para el BJT
7.3.3 Técnicas de polarización para MOSFET y JFET
7.4 Modelado en pequeña señal de circuitos analógicos
7.4.1 Señal incremental
7.4.2 Modelo a pequeña señal del BJT
7.4.3 Modelo en pequeña señal del FET
7.4.4 Cómo modelar el efecto de cuerpo en MOSFET
7.4.5 Resistencia en pequeña señal del puerto de salida del transistor
7.4.6 Resistencia en pequeña señal del puerto de entrada del transistor
7.5 Representación de amplificador en dos puertos
CAPÍTULO 8 AMPLIFICADORES DIFERENCIALES
8.1 Topología básica del amplificador diferencial
8.2 Señales en modo diferencial y en modo común
8.3 Amplificador diferencial BJT
8.3.1 Amplificador diferencial BJT con una entrada
8.3.2 Amplificador diferencial BJT con dos entradas
8.3.3 Superposición de las respuestas diferencial y común
8.3.4 Relación de rechazo común
8.3.5 Resistencias de entrada y de salida del amplificador diferencial BJT
8.3.6 Polarización del amplificador diferencial BJT
8.3.7 Espejo de corriente BJT
8.3.8 Fuente de corriente de Widlar BJT
8.4 Amplificadores diferenciales MOSFET y JFET
8.4.1 Amplificador diferencial NMOS
8.4.2 Amplificador diferencial JFET con cargas resistivas
8.4.3 Amplificador diferencial CMOS
8.4.4 Amplificador diferencial BiCMOS
8.5 Funcionamiento a gran señal de los amplificadores diferenciales
8.5.1 Descripción a gran señal del amplificador diferencial BJT
8.5.2 Descripción a gran señal de los amplificadores diferenciales MOSFET y JFET con cargas resistivas
8.5.3 Descripción a gran señal del amplificador diferencial MOSFET con cargas CMOS
8.5.4 Rango de excursión del amplificador diferencial
CAPÍTULO 9 RESPUESTA EN FRECUENCIA Y COMPORTAMIENTO DEPENDIENTE DEL TIEMPO DE CIRCUITOS
9.1 Fuentes de capacitancia e inductancia en circuitos electrónicos
9.1.1 Capacitancia parásita en las terminales
9.1.2 Inductancia parásita de terminales
9.1.3 Capacitancia interna de la unión pn
9.1.4 Capacitancia en el transistor de unión bipolar
9.1.5 Capacitancia en el transistor de efecto de campo MOS
9.1.6 Capacitancia en el transistor de efecto de campo de unión
9.2 Respuesta de amplificador en régimen permanente sinusoidal
9.2.1 Representación mediante gráficas de Bode en el dominio de la frecuencia
9.2.2 Representación en gráfica de Bode de funciones de sistema de complejidad arbitraria
9.2.3 Límites de frecuencia de banda alta, baja y media
9.2.4 Superposición de polos
9.3 Respuesta en frecuencia de circuitos conteniendo capacitores
9.3.1 Capacitores de alta y de baja frecuencia
9.3.2 El concepto de polo dominante
9.3.3 Efecto de la capacitancia transversal sobre la respuesta del amplificador
9.3.4 Teorema de Miller y multiplicación Miller
9.3.5 Polos de alta frecuencia con resistor de retroalimentación
9.3.6 Respuesta en frecuencia con capacitor de desvío
9.4 Respuesta en frecuencia del amplificador diferencial
9.4.1 Respuesta en frecuencia en modo diferencial
9.4.2 Respuesta en frecuencia en modo común
9.4.3 Respuesta en frecuencia de configuración cascode
9.4.4 Consideraciones de diseño de circuitos integrados
9.5 Respuesta en el tiempo de los circuitos electrónicos
9.5.1 Capacitancia interna del diodo y el rectificador de media onda
9.5.2 Respuesta incremental a escalón de un amplificador a transistor
CAPÍTULO 10 RETROALIMENTACIÓN Y ESTABILIDAD
10.1 El lazo de retroalimentación negativa
10.2 Requisitos generales de los circuitos retroalimentados
10.3 Efectos de la retroalimentación en el funcionamiento del amplificador
10.3.1 Efecto de la retroalimentación sobre la linealidad de amplificadores
10.3.2 Efecto de la retroalimentación en el ancho de banda del amplificador
10.4 Los cuatro tipos básicos de amplificador
10.4.1 Características de puerto de un amplificador
10.4.2 Muestreo de salida
10.4.3 Mezclado de entrada
10.5 Las cuatro topologías de retroalimentación
10.6 Efecto de las conexiones de la red de retroalimentación en la resistencia de puerto del amplificador
10.6.1 Resistencia de entrada de la conexión con mezclado de entrada en serie
10.6.2 Resistencia de entrada de la conexión-mezclado de entrada en derivación
10.6.3 Resistencia de salida de la conexión de muestreo de salida en paralelo
10.6.4 Resistencia de salida de la conexión con muestreo de salida en serie
10.7 Ejemplos reales de amplificadores retroalimentados
10.7.1 Amplificador operacional (retroalimentación serie/paralelo)
10.7.2 Amplificador MOSFET de transconductancia con resistor de retroalimentación (retroalimentación serie/serie)
10.7.3 Amplificador de transresistencia de una etapa (retroalimentación paralelo/paralelo)
10.7.4 Amplificador de corriente BJT con retroalimentación (retroalimentación paralelo/serie)
10.8 Estabilidad del lazo de retroalimentación
10.8.1 Corrimiento de fase del amplificador
10.8.2 Cómo evaluar la estabilidad de la retroalimentación utilizando la gráfica Nyquist
10.8.3 Análisis mediante gráficas de Bode de la estabilidad de la retroalimentación
10.8.4 Compensación de frecuencia
10.8.5 Compensación externa
CAPÍTULO 11 AMPLIFICADORES MULTIETAPA Y DE POTENCIA
11.1 Carga de entrada y de salida
11.2 Cascada de amplificación en dos puertos
11.3 Polarización de amplificadores multietapa
11.4 Corrimiento del nivel de CD
11.4.1 Corrimiento de niveles en circuitos BJT
11.4.2 Desplazamiento de nivel en circuitos MOSFET
11.5 Cascada de amplificadores diferenciales
11.6 Etapas de salida de amplificación de potencia
11.6.1 Configuración de salida de par complementario (Clase B)
11.6.2 Configuración de salida con polarización lineal (Clase A)
11.6.3 Configuración de salida con polarización mínima (Clase AB)
11.7 Amplificadores de potencia integrados
11.8 Dispositivos de potencia
11.8.1 Disipadores de calor
11.8.2 BIT de potencia
11.8.3 MOSFET de potencia
CAPÍTULO 12 CIRCUITOS ANALÓGICOS INTEGRADOS
12.1 Cascada básica de amplificador operacional
12.2 Estudio de caso: amplificador operacional bipolar LM741
12.2.1 Etapa de entrada BJT del amplificador operacional LM741
12.2.2 Etapa de ganancia media del amplificador operacional LM741
12.2.3 Etapa de salida del amplificador operacional LM741
12.2.4 Cascada completa del amplificador operacional
12.2.5 Compensación en frecuencia
12.2.6 División de polos
12.2.7 Origen de la limitación de rapidez de respuesta
12.2.8 Ajuste de desvío nulo
12.3 Estudio de caso: amplificador operacional CMOS simple
12.3.1 Diseño de la polarización
12.3.2 Funcionamiento en modo diferencial en pequeña señal
12.3.3 Funcionamiento en modo común
12.3.4 Rango de excursión de la señal
CAPÍTULO 13 FILTROS Y OSCILADORES ACTIVOS
13.1 Un filtro activo simple de primer orden
13.2 Funciones de filtros ideales
13.3 Respuestas de filtros de segundo orden
13.3.1 La función bicuadrática de filtro
13.3.2 Filtro pasabajas activo de segundo orden
13.3.3 Filtro pasaaltos de segundo orden activo
13.3.4 Filtro activo pasabanda de segundo orden
13.4 Cascada de filtros activos
13.4.1 Respuesta del pasabajas Butterworth
13.4.2 Respuesta del filtro Chebyshev pasabajas
13.4.3 Cascada pasaaltos y pasabanda
13.4.4 Otros tipos de filtros
13.5 Escalamiento de magnitud y frecuencia
13.6 Redes y filtros de capacitores conmutados
13.7 Osciladores
13.7.1 Oscilador de puente de Wien
13.7.2 Oscilador de desplazamiento de fase
13.7.3 Osciladores sintonizados LC
13.7.4 Osciladores cristal
13.7.5 Oscilador de disparador Schmitt
CAPÍTULO 14 CIRCUITOS DIGITALES
14.1 Conceptos fundamentales de los circuitos digitales
14.1.1 Escala de integración
14.1.2 Familias lógicas
14.1.3 Definición de los niveles lógicos
14.1.4 Márgenes de ruido
14.1.5 Capacidad de carga de salida y capacidad de carga de entrada
14.1.6 Retardo de propagación
14.1.7 Disipación de potencia
14.1.8 Producto retardo-potencia
14.2 Familia lógica CMOS
14.2.1 Característica del inversor CMOS
14.2.2 Comportamiento dinámico del inversor CMOS
14.2.3 Compuertas lógicas CMOS
14.2.4 Compuerta de transmisión CMOS
14.3 Familia lógica NMOS
14.3.1 Inversor NMOS con carga incremental
14.3.2 Inversor NMOS con carga decremental
14.3.3 Comportamiento dinámico de un inversor NMOS
14.3.4 Compuertas lógicas NMOS
14.4 Familia lógica TTL
14.4.1 Comportamiento dinámico del inversor BJT
14.4.2 Estructura básica de TTL
14.4.3 Inversor lógico TTL completo
14.4.4 Característica de transferencia del inversor lógico TTL
14.4.5 Compuertas lógicas TTL
14.4.6 Salida de tercer estado
14.4.7 Versiones mejoradas de TTL
14.5 Familia lógica acoplada por emisor
14.5.1 Inversor lógico ECL básico
14.5.2 Análisis detallado de un inversor lógico ECL
14.5.3 Característica de transferencia del inversor ECL
14.5.4 Compuertas lógicas ECL
14.6 Circuitos lógicos BiCMOS
14.6.1 Inversor BiCMOS estándar
14.6.2 Característica de transferencia en cd del inversor BiCMOS
14.6.3 Compuertas lógicas BiCMOS
CAPÍTULO 15 FUNDAMENTOS DE LOS SISTEMAS DIGITALES
15.1 Circuitos lógicos secuenciales
15.1.1 Flip-flop de inicio-reinicio
15.1.2 Flip-flop SR sincronizado
15.1.3 Flip-flop JK
15.1.4 Flip-flop de tipos D y T
15.1.5 Entradas preinicio y de borrado
15.2 Circuitos multivibradores
15.2.1 Multivibrador monoestable
15.2.2 Multivibrador Astable
15.2.3 El temporizador integrado 555
15.3 Memoria digital
15.3.1 Memoria de sólo lectura
15.3.2 Memoria de acceso aleatorio estática
15.3.3 Memoria de acceso aleatorio dinámica
15.3.4 Elementos de memoria EPROM y EEPROM
15.4 Interfaz analógica a digital
15.4.1 Conversión digital a analógica
15.4.2 Circuito de muestreo y retención
15.4.3 Conversión analógica a digital
CAPÍTULO 16 DISEÑO ELECTRÓNICO
16.1 Panorama general del proceso de diseño
16.2 Las herramientas del diseño electrónico
16.3 Problemas de diseño abiertos
16.3.1 Fuente de alimentación de energía en cd ajustable de alta corriente
16.3.2 Amplificador de micrófono dinámico
16.3.3 Controlador de flecha giratoria
16.3.4 Indicador de velocidad de flecha de motor (Tacómetro analógico)
16.3.5 Odómetro electrónico para bicicleta
16.3.6 Interruptor de luz actuado por voz
16.3.7 Modulador de amplitud
16.3.8 Wáttmetro analógico de audiofrecuencia
16.3.9 Monitor de temperatura ambiente
16.3.10 Instrumento musical electrónico de proximidad manual
16.3.11 Interruptor de luz operado a mano
16.3.12 Monitor de ritmo cardiaco
16.3.13 Nanoamperímetro de cd
16.3.14 Indicador de nivel bajo de batería
16.3.15 Generador de funciones
16.3.16 Cargador de baterías de níquel cadmio (NiCad)
16.3.17 Medidor de campo magnético de ca
16.3.18 Controlador para tren modelo
16.3.19 Óhmetro de baja resistencia
16.3.20 Micrófono inalámbrico
16.3.21 Trazador de curvas de transistores
16.4 Problemas de diseño de circuitos integrados analógicos
16.4.1 Amplificador operacional BJT 1
16.4.2 Amplificador operacional BJT 2
16.4.3 Amplificador operacional BiFET
16.4.4 Amplificador operacional CMOS
APÉNDICE A Física de los dispositivos semiconductores
A.1 Materiales electrónicos
A.2 Descripción cualitativa de los huecos
A.3 Impurezas
A.3.1 Átomos aceptores
A.3.2 Átomos donores
A.4 Densidades de portadores dentro de un semi conductor
A.5 Flujo de corriente en un semi conductor
A.5.1 Densidad de corriente de corrimiento
A.5.2 Densidad de corriente por difusión
A.5.3 Recombinación de concentraciones de portadores en exceso
A.5.4 Gradiente de densidad de corriente
A.5.5 Resumen de propiedades
A.6 Gradiente de difusión dentro de un semiconductor
A.7 Deducción de la característica v-i del diodo de unión PN
A.7.1 Relaciones Boltzmann
A.7.2 Mecanismo de inyección de portadores
A.7.3 Componentes de corriente del diodo
A.7.4 Corrección por recombinación en la región de agotamiento
A.7.5 La unión pn en los puntos extremos de operación
A.8 Transistor de unión bipolar
A.8.1 Característica v-i del BJT
A.8.2 Región angosta de la base del BJT
A.8.3 El modelo de Ebers-Moll para el transistor
A.9 Transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor
A.9.1 Deducción de la característica v-i del MOSFET en modo incremental de canal n para un VDS pequeño
A.9.2 Deducción de la característica v-i del MOSFET en modo incremental de canal n para un VDS grande
APÉNDICE B Fabricación de dispositivos semiconductores y de circuitos integrados
B.1 Vista general del proceso de fabricación
B.2 Crecimiento epitaxial
B.3 Oxidación
B.4 Dopado de obleas
B.5 Depósito de película
B.6 Ataque químico de obleas
R.7 Procesamiento litográfico
B.8 Una secuencia de fabricación MOS
B.9 Una secuencia de fabricación BJT
APÉNDICE C Diseño de circuitos auxiliado por computadora, utilizando SPICE y PSpice
C.1 Utilización de ápice
C.2 Capacidades de SPICE y de PSPICE
C.3 Descripción del circuito
C.3.1 Resistores, capacitores e inductores
C.3.2 Fuentes independientes
C.3.3 Fuentes dependientes
C.3.4 El enunciado .MODEL
C.3.5 Semiconductores
C.3.6 Cómo modelar amplificadores operacionales en SPICE
C.3.7 Dispositivos no lineales arbitrarios (fuentes polinómicas)
C.3.8 Definiciones de subcircuitos
C.4 Tipos de análisis
C.5 Cómo generar la salida
C.6 Referencias
APÉNDICE D Código de colores y valores estándar de resistores
APÉNDICE E Sugerencias para lectura adicional
Otros libros sobre electrónica
Teoría de circuitos lineales
Amplificadores operacionales
Circuitos integrados analógicos
Filtros activos
Electrónica y dispositivos de potencia
Circuitos y dispositivos digitales
Circuitos BICMOS
Dispositivos semiconductores

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