Circuitos y dispositivos microelectrónicos / (Registro nro. 1182)

Detalles MARC
000 -CABECERA
Campo de control de longitud fija 20051nam a2200349 i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
Número de control 1182
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
Identificador del número de control AR-RqUTN
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
Códigos de información de longitud fija 240905s1997 d||||r|||| 001 0 spa d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
ISBN 9688807079
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador de origen AR-RqUTN
Lengua de catalogación spa
Centro transcriptor AR-RqUTN
041 #7 - CÓDIGO DE LENGUA
Código de lengua del texto es
Fuente del código ISO 639-1
080 0# - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL UNIVERSAL
Clasificación Decimal Universal 621.38
Edición de la CDU 2000
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre personal Horenstein, Mark N.
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Circuitos y dispositivos microelectrónicos /
Mención de responsabilidad Mark N. Horenstein
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición 2a ed.
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Lugar de publicación, distribución, etc. Naucalpan de Juárez :
Nombre del editor, distribuidor, etc. Prentice-Hall Hispanoamericana,
Fecha de publicación, distribución, etc. 1997
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión xxvi, 1126 p. :
Otras características físicas fig., tablas ;
Dimensiones 27 cm
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Fuente rdacontent
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
337 ## - TIPO DE MEDIO
Fuente rdamedia
Nombre del tipo de medio sin mediación
Código del tipo de medio n
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Fuente rdacarrier
Nombre del tipo de soporte volumen
Código del tipo de soporte nc
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Incluye índice alfabético
505 00 - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato CAPÍTULO 1 REPASO DE LA TEORÍA DE LOS CIRCUITOS LINEALES<br/>1.1 Leyes de corriente y de voltaje de Kirchhoff<br/>1.2 Notación de canal (bus) de voltaje<br/>1.3 Definición de la característica voltaje-corriente<br/>1.4 Superposición en circuitos lineales<br/>1.5 Circuitos resistivos<br/>1.6 Circuitos equivalentes Thévenin<br/>1.7 Circuitos equivalentes Norton<br/>1.8 Divisores de voltaje y de corriente<br/>1.9 Circuitos resistor-capacitor de una sola constante de tiempo<br/>1.9.1 Respuesta transitoria del circuito RC<br/>1.9.2 Respuesta del circuito RC en régimen sinusoidal permanente<br/>CAPÍTULO 2 AMPLIFICADORES OPERACIONALES<br/>2.1 Amplificador operacional de circuito integrado<br/>2.2 Modelo simplificado del amplificador operacional<br/>2.3 Aproximación ideal del amplificador operacional<br/>2.4 Circuitos lineales con amplificador operacional<br/>2.4.1 Amplificador no inversor<br/>2.4.2 El corto virtual<br/>2.4.3 Amplificador inversor<br/>2.4.4 Resistencia de entrada<br/>2.4.5 Amplificador operacional seguidor de voltaje<br/>2.4.6 Amplificador diferencial<br/>2.4.7 Amplificador de instrumentación<br/>2.4.8 Amplificador sumador<br/>2.4.9 Amplificador operacional con una red de retroalimentación puente T<br/>2.4.10 Integrador<br/>2.4.11 Diferenciador<br/>2.5 Circuitos no lineales<br/>2.5.1 Comparador e indicador de polaridad de lazo abierto<br/>2.5.2 Disparador Schmitt<br/>2.6 Propiedades no ideales de los amplificadores operacionales<br/>2.6.1 Niveles de saturación de salida<br/>2.6.2 Voltajes de desvío de entrada y de salida<br/>2.6.3 Corrientes de polarización y de desvío de entrada<br/>2.6.4 Limitación de la rapidez de respuesta<br/>2.6.5 Límite de corriente de salida<br/>2.6.6 Respuesta en frecuencia finita<br/>2.6.7 Producto ganancia-ancho de banda<br/>CAPÍTULO 3 INTRODUCCIÓN A LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO NO LINEALES<br/>3.1 Propiedades básicas de los elementos no lineales<br/>3.2 Análisis gráfico con un elemento de circuito no lineal<br/>3.3 Ejemplos de dispositivos no lineales de dos terminales<br/>3.3.1 Materiales semiconductores<br/>3.3.2 Características físicas del diodo de unión PN2<br/>3.3.3 Característica voltaje-corriente del diodo de unión PN<br/>3.3.4 Diodo Zener<br/>3.3.5 Unión PN bajo un voltaje de polarización inversa grande<br/>3.3.6 Diodo Schottky<br/>3.3.7 Diodo varactor<br/>3.3.8 Diodo túnel<br/>3.3.9 Varistor de metal-óxido<br/>3.4 Método gráfico con fuentes que varían con el tiempo<br/>3.5 Soluciones matemáticas iterativas<br/>3.6 Modelado por segmentos lineales de dispositivos no lineales de dos terminales<br/>CAPÍTULO 4 PROCESAMIENTO Y ACONDICIONAMIENTO DE SEÑALES CON DISPOSITIVOS NO LINEALES DE DOS TERMINALES<br/>4.1 La característica de transferencia<br/>4.2 Circuitos de corte y limitación<br/>4.3 Circuitos rectificadores<br/>4.3.1 Rectificador de media onda<br/>4.3.2 Puente rectificador<br/>4.4 Circuitos de fuente de alimentación<br/>4.4.1 Fuente de alimentación con rectificador de media onda<br/>4.4.2 Fuente de alimentación con rectificador de onda completa<br/>4.4.3 Fuente de alimentación con carga no resistiva<br/>4.4.4 Regulación de voltaje<br/>4.4.5 Circuitos rectificador-capacitor para procesamiento de señales<br/>4.5 Circuitos rectificadores de precisión<br/>4.5.1 Rectificador de media onda de precisión<br/>4.5.2 Limitador de precisión<br/>4.5.3 Rectificador de media onda de precisión modificado con ganancia<br/>CAPÍTULO 5 DISPOSITIVOS DE TRES TERMINALES<br/>5.1 Definición de un dispositivo de tres terminales<br/>5.2 Transistores de efecto de campo<br/>5.2.1 Estructura física del MOSFET incremental de canal n<br/>5.2.2 Resumen de ecuaciones v-i del MOSFET incremental de canal n<br/>5.2.3 MOSFET decremental<br/>5.2.4 Voltaje fuente a sustrato distinto a cero (efecto de cuerpo)<br/>5.2.5 Sobreesfuerzo electrostático y descarga electrostática<br/>5.2.6 Transistor de efecto de campo de unión<br/>5.2.7 Curva de transconductancia FET<br/>5.2.8 Transistores de efecto de campo de canal P<br/>5.2.9 Transistor de efecto de campo de metal semiconductor (MESFET) de arseniuro de galio (GaAs)<br/>5.3 Transistor de unión bipolar<br/>5.3.1 Estructura física del transistor bipolar<br/>5.3.2 Características v-i del BJT NPN <br/>5.3.3 BJT PNP<br/>5.4 Características v-i del transistor con pendiente positiva<br/>5.4.1 Pendiente positiva de las características v-i del FET<br/>5.4.2 Pendiente positiva de las características v-i del BJT<br/>5.5 Dispositivos fotónicos<br/>5.5.1 Fotodiodo<br/>5.5.2 Fototransistor<br/>5.5.3 Diodo emisor de luz<br/>5.5.4 Diodo láser<br/>5.5.5 Circuitos optoelectrónicos<br/>5.6 Dependencia de los dispositivos a la temperatura<br/>5.6.1 Dependencia del MOSFET y del JFET a la temperatura<br/>5.6.2 Dependencia de un diodo de unión pn y un BJT a la temperatura<br/>5.7 Limitaciones de potencia en la operación de dispositivos<br/>CAPÍTULO 6 CIRCUITOS BÁSICOS CON DISPOSITIVOS DE TRES TERMINALES<br/>6.1 Configuración de inversor <br/>6.1.1 Inversor BJT<br/>6.1.2 Inversor MOSFET<br/>6.1.3 Inversor CMOS<br/>6.2 Configuración de seguidor de voltaje<br/>6.2.1 Seguidor de voltaje BJT<br/>6.2.2 Seguidor de voltaje MOSFET<br/>6.3 Configuración de seguidor de corriente<br/>6.3.1 Seguidor de corriente BJT (amplificador de base común)<br/>6.3.2 Configuración cascode BJT<br/>6.3.3 Seguidor de corriente MOSFET<br/>6.3.4 Cascode MOSFET con carga MOSFET<br/>6.4 Operación en el régimen digital<br/>6.4.1 El transistor como un interruptor<br/>6.4.2 El inversor como una compuerta lógica digital<br/>6.4.3 Inversor lógico BJT<br/>6.4.4 Inversor lógico CMOS<br/>6.4.5 Inversor lógico NMOS<br/>6.4.6 Efecto de un voltaje fuente a sustrato distinto a cero (efecto de cuerpo)<br/>CAPÍTULO 7 AMPLIFICACIÓN ANALÓGICA<br/>7.1 Definición de una señal<br/>7.2 Circuitos activos y pasivos<br/>7.3 Polarización<br/>7.3.1 Conceptos generales de la polarización<br/>7.3.2 Técnicas de polarización para el BJT<br/>7.3.3 Técnicas de polarización para MOSFET y JFET<br/>7.4 Modelado en pequeña señal de circuitos analógicos<br/>7.4.1 Señal incremental<br/>7.4.2 Modelo a pequeña señal del BJT<br/>7.4.3 Modelo en pequeña señal del FET<br/>7.4.4 Cómo modelar el efecto de cuerpo en MOSFET<br/>7.4.5 Resistencia en pequeña señal del puerto de salida del transistor<br/>7.4.6 Resistencia en pequeña señal del puerto de entrada del transistor<br/>7.5 Representación de amplificador en dos puertos<br/>CAPÍTULO 8 AMPLIFICADORES DIFERENCIALES<br/>8.1 Topología básica del amplificador diferencial<br/>8.2 Señales en modo diferencial y en modo común<br/>8.3 Amplificador diferencial BJT<br/>8.3.1 Amplificador diferencial BJT con una entrada<br/>8.3.2 Amplificador diferencial BJT con dos entradas<br/>8.3.3 Superposición de las respuestas diferencial y común<br/>8.3.4 Relación de rechazo común<br/>8.3.5 Resistencias de entrada y de salida del amplificador diferencial BJT<br/>8.3.6 Polarización del amplificador diferencial BJT<br/>8.3.7 Espejo de corriente BJT<br/>8.3.8 Fuente de corriente de Widlar BJT<br/>8.4 Amplificadores diferenciales MOSFET y JFET<br/>8.4.1 Amplificador diferencial NMOS<br/>8.4.2 Amplificador diferencial JFET con cargas resistivas<br/>8.4.3 Amplificador diferencial CMOS<br/>8.4.4 Amplificador diferencial BiCMOS<br/>8.5 Funcionamiento a gran señal de los amplificadores diferenciales<br/>8.5.1 Descripción a gran señal del amplificador diferencial BJT<br/>8.5.2 Descripción a gran señal de los amplificadores diferenciales MOSFET y JFET con cargas resistivas<br/>8.5.3 Descripción a gran señal del amplificador diferencial MOSFET con cargas CMOS<br/>8.5.4 Rango de excursión del amplificador diferencial<br/>CAPÍTULO 9 RESPUESTA EN FRECUENCIA Y COMPORTAMIENTO DEPENDIENTE DEL TIEMPO DE CIRCUITOS <br/>9.1 Fuentes de capacitancia e inductancia en circuitos electrónicos<br/>9.1.1 Capacitancia parásita en las terminales<br/>9.1.2 Inductancia parásita de terminales<br/>9.1.3 Capacitancia interna de la unión pn<br/>9.1.4 Capacitancia en el transistor de unión bipolar<br/>9.1.5 Capacitancia en el transistor de efecto de campo MOS<br/>9.1.6 Capacitancia en el transistor de efecto de campo de unión<br/>9.2 Respuesta de amplificador en régimen permanente sinusoidal<br/>9.2.1 Representación mediante gráficas de Bode en el dominio de la frecuencia<br/>9.2.2 Representación en gráfica de Bode de funciones de sistema de complejidad arbitraria<br/>9.2.3 Límites de frecuencia de banda alta, baja y media<br/>9.2.4 Superposición de polos<br/>9.3 Respuesta en frecuencia de circuitos conteniendo capacitores<br/>9.3.1 Capacitores de alta y de baja frecuencia<br/>9.3.2 El concepto de polo dominante<br/>9.3.3 Efecto de la capacitancia transversal sobre la respuesta del amplificador<br/>9.3.4 Teorema de Miller y multiplicación Miller<br/>9.3.5 Polos de alta frecuencia con resistor de retroalimentación<br/>9.3.6 Respuesta en frecuencia con capacitor de desvío<br/>9.4 Respuesta en frecuencia del amplificador diferencial<br/>9.4.1 Respuesta en frecuencia en modo diferencial<br/>9.4.2 Respuesta en frecuencia en modo común<br/>9.4.3 Respuesta en frecuencia de configuración cascode<br/>9.4.4 Consideraciones de diseño de circuitos integrados<br/>9.5 Respuesta en el tiempo de los circuitos electrónicos<br/>9.5.1 Capacitancia interna del diodo y el rectificador de media onda<br/>9.5.2 Respuesta incremental a escalón de un amplificador a transistor<br/>CAPÍTULO 10 RETROALIMENTACIÓN Y ESTABILIDAD<br/>10.1 El lazo de retroalimentación negativa<br/>10.2 Requisitos generales de los circuitos retroalimentados<br/>10.3 Efectos de la retroalimentación en el funcionamiento del amplificador<br/>10.3.1 Efecto de la retroalimentación sobre la linealidad de amplificadores<br/>10.3.2 Efecto de la retroalimentación en el ancho de banda del amplificador<br/>10.4 Los cuatro tipos básicos de amplificador<br/>10.4.1 Características de puerto de un amplificador<br/>10.4.2 Muestreo de salida<br/>10.4.3 Mezclado de entrada<br/>10.5 Las cuatro topologías de retroalimentación<br/>10.6 Efecto de las conexiones de la red de retroalimentación en la resistencia de puerto del amplificador<br/>10.6.1 Resistencia de entrada de la conexión con mezclado de entrada en serie<br/>10.6.2 Resistencia de entrada de la conexión-mezclado de entrada en derivación<br/>10.6.3 Resistencia de salida de la conexión de muestreo de salida en paralelo<br/>10.6.4 Resistencia de salida de la conexión con muestreo de salida en serie<br/>10.7 Ejemplos reales de amplificadores retroalimentados<br/>10.7.1 Amplificador operacional (retroalimentación serie/paralelo)<br/>10.7.2 Amplificador MOSFET de transconductancia con resistor de retroalimentación (retroalimentación serie/serie)<br/>10.7.3 Amplificador de transresistencia de una etapa (retroalimentación paralelo/paralelo)<br/>10.7.4 Amplificador de corriente BJT con retroalimentación (retroalimentación paralelo/serie)<br/>10.8 Estabilidad del lazo de retroalimentación<br/>10.8.1 Corrimiento de fase del amplificador<br/>10.8.2 Cómo evaluar la estabilidad de la retroalimentación utilizando la gráfica Nyquist<br/>10.8.3 Análisis mediante gráficas de Bode de la estabilidad de la retroalimentación<br/>10.8.4 Compensación de frecuencia<br/>10.8.5 Compensación externa<br/>CAPÍTULO 11 AMPLIFICADORES MULTIETAPA Y DE POTENCIA<br/>11.1 Carga de entrada y de salida<br/>11.2 Cascada de amplificación en dos puertos<br/>11.3 Polarización de amplificadores multietapa<br/>11.4 Corrimiento del nivel de CD<br/>11.4.1 Corrimiento de niveles en circuitos BJT<br/>11.4.2 Desplazamiento de nivel en circuitos MOSFET<br/>11.5 Cascada de amplificadores diferenciales<br/>11.6 Etapas de salida de amplificación de potencia<br/>11.6.1 Configuración de salida de par complementario (Clase B)<br/>11.6.2 Configuración de salida con polarización lineal (Clase A)<br/>11.6.3 Configuración de salida con polarización mínima (Clase AB)<br/>11.7 Amplificadores de potencia integrados<br/>11.8 Dispositivos de potencia<br/>11.8.1 Disipadores de calor<br/>11.8.2 BIT de potencia<br/>11.8.3 MOSFET de potencia<br/>CAPÍTULO 12 CIRCUITOS ANALÓGICOS INTEGRADOS<br/>12.1 Cascada básica de amplificador operacional<br/>12.2 Estudio de caso: amplificador operacional bipolar LM741<br/>12.2.1 Etapa de entrada BJT del amplificador operacional LM741<br/>12.2.2 Etapa de ganancia media del amplificador operacional LM741<br/>12.2.3 Etapa de salida del amplificador operacional LM741<br/>12.2.4 Cascada completa del amplificador operacional<br/>12.2.5 Compensación en frecuencia<br/>12.2.6 División de polos<br/>12.2.7 Origen de la limitación de rapidez de respuesta<br/>12.2.8 Ajuste de desvío nulo<br/>12.3 Estudio de caso: amplificador operacional CMOS simple<br/>12.3.1 Diseño de la polarización<br/>12.3.2 Funcionamiento en modo diferencial en pequeña señal<br/>12.3.3 Funcionamiento en modo común<br/>12.3.4 Rango de excursión de la señal<br/>CAPÍTULO 13 FILTROS Y OSCILADORES ACTIVOS<br/>13.1 Un filtro activo simple de primer orden<br/>13.2 Funciones de filtros ideales<br/>13.3 Respuestas de filtros de segundo orden<br/>13.3.1 La función bicuadrática de filtro<br/>13.3.2 Filtro pasabajas activo de segundo orden<br/>13.3.3 Filtro pasaaltos de segundo orden activo<br/>13.3.4 Filtro activo pasabanda de segundo orden<br/>13.4 Cascada de filtros activos<br/>13.4.1 Respuesta del pasabajas Butterworth<br/>13.4.2 Respuesta del filtro Chebyshev pasabajas<br/>13.4.3 Cascada pasaaltos y pasabanda<br/>13.4.4 Otros tipos de filtros<br/>13.5 Escalamiento de magnitud y frecuencia<br/>13.6 Redes y filtros de capacitores conmutados<br/>13.7 Osciladores<br/>13.7.1 Oscilador de puente de Wien<br/>13.7.2 Oscilador de desplazamiento de fase<br/>13.7.3 Osciladores sintonizados LC<br/>13.7.4 Osciladores cristal<br/>13.7.5 Oscilador de disparador Schmitt<br/>CAPÍTULO 14 CIRCUITOS DIGITALES<br/>14.1 Conceptos fundamentales de los circuitos digitales<br/>14.1.1 Escala de integración<br/>14.1.2 Familias lógicas<br/>14.1.3 Definición de los niveles lógicos<br/>14.1.4 Márgenes de ruido<br/>14.1.5 Capacidad de carga de salida y capacidad de carga de entrada<br/>14.1.6 Retardo de propagación<br/>14.1.7 Disipación de potencia<br/>14.1.8 Producto retardo-potencia<br/>14.2 Familia lógica CMOS<br/>14.2.1 Característica del inversor CMOS<br/>14.2.2 Comportamiento dinámico del inversor CMOS<br/>14.2.3 Compuertas lógicas CMOS<br/>14.2.4 Compuerta de transmisión CMOS<br/>14.3 Familia lógica NMOS<br/>14.3.1 Inversor NMOS con carga incremental<br/>14.3.2 Inversor NMOS con carga decremental<br/>14.3.3 Comportamiento dinámico de un inversor NMOS<br/>14.3.4 Compuertas lógicas NMOS<br/>14.4 Familia lógica TTL<br/>14.4.1 Comportamiento dinámico del inversor BJT<br/>14.4.2 Estructura básica de TTL<br/>14.4.3 Inversor lógico TTL completo<br/>14.4.4 Característica de transferencia del inversor lógico TTL<br/>14.4.5 Compuertas lógicas TTL<br/>14.4.6 Salida de tercer estado<br/>14.4.7 Versiones mejoradas de TTL<br/>14.5 Familia lógica acoplada por emisor<br/>14.5.1 Inversor lógico ECL básico<br/>14.5.2 Análisis detallado de un inversor lógico ECL<br/>14.5.3 Característica de transferencia del inversor ECL<br/>14.5.4 Compuertas lógicas ECL<br/>14.6 Circuitos lógicos BiCMOS<br/>14.6.1 Inversor BiCMOS estándar<br/>14.6.2 Característica de transferencia en cd del inversor BiCMOS<br/>14.6.3 Compuertas lógicas BiCMOS<br/>CAPÍTULO 15 FUNDAMENTOS DE LOS SISTEMAS DIGITALES<br/>15.1 Circuitos lógicos secuenciales<br/>15.1.1 Flip-flop de inicio-reinicio<br/>15.1.2 Flip-flop SR sincronizado<br/>15.1.3 Flip-flop JK<br/>15.1.4 Flip-flop de tipos D y T<br/>15.1.5 Entradas preinicio y de borrado<br/>15.2 Circuitos multivibradores<br/>15.2.1 Multivibrador monoestable<br/>15.2.2 Multivibrador Astable<br/>15.2.3 El temporizador integrado 555<br/>15.3 Memoria digital<br/>15.3.1 Memoria de sólo lectura<br/>15.3.2 Memoria de acceso aleatorio estática<br/>15.3.3 Memoria de acceso aleatorio dinámica<br/>15.3.4 Elementos de memoria EPROM y EEPROM<br/>15.4 Interfaz analógica a digital<br/>15.4.1 Conversión digital a analógica<br/>15.4.2 Circuito de muestreo y retención<br/>15.4.3 Conversión analógica a digital<br/>CAPÍTULO 16 DISEÑO ELECTRÓNICO<br/>16.1 Panorama general del proceso de diseño<br/>16.2 Las herramientas del diseño electrónico<br/>16.3 Problemas de diseño abiertos<br/>16.3.1 Fuente de alimentación de energía en cd ajustable de alta corriente<br/>16.3.2 Amplificador de micrófono dinámico<br/>16.3.3 Controlador de flecha giratoria<br/>16.3.4 Indicador de velocidad de flecha de motor (Tacómetro analógico)<br/>16.3.5 Odómetro electrónico para bicicleta<br/>16.3.6 Interruptor de luz actuado por voz<br/>16.3.7 Modulador de amplitud<br/>16.3.8 Wáttmetro analógico de audiofrecuencia<br/>16.3.9 Monitor de temperatura ambiente<br/>16.3.10 Instrumento musical electrónico de proximidad manual<br/>16.3.11 Interruptor de luz operado a mano<br/>16.3.12 Monitor de ritmo cardiaco<br/>16.3.13 Nanoamperímetro de cd<br/>16.3.14 Indicador de nivel bajo de batería<br/>16.3.15 Generador de funciones<br/>16.3.16 Cargador de baterías de níquel cadmio (NiCad)<br/>16.3.17 Medidor de campo magnético de ca<br/>16.3.18 Controlador para tren modelo<br/>16.3.19 Óhmetro de baja resistencia<br/>16.3.20 Micrófono inalámbrico<br/>16.3.21 Trazador de curvas de transistores<br/>16.4 Problemas de diseño de circuitos integrados analógicos<br/>16.4.1 Amplificador operacional BJT 1<br/>16.4.2 Amplificador operacional BJT 2<br/>16.4.3 Amplificador operacional BiFET<br/>16.4.4 Amplificador operacional CMOS<br/>APÉNDICE A Física de los dispositivos semiconductores<br/>A.1 Materiales electrónicos<br/>A.2 Descripción cualitativa de los huecos<br/>A.3 Impurezas <br/>A.3.1 Átomos aceptores<br/>A.3.2 Átomos donores<br/>A.4 Densidades de portadores dentro de un semi conductor<br/>A.5 Flujo de corriente en un semi conductor<br/>A.5.1 Densidad de corriente de corrimiento<br/>A.5.2 Densidad de corriente por difusión<br/>A.5.3 Recombinación de concentraciones de portadores en exceso<br/>A.5.4 Gradiente de densidad de corriente<br/>A.5.5 Resumen de propiedades<br/>A.6 Gradiente de difusión dentro de un semiconductor<br/>A.7 Deducción de la característica v-i del diodo de unión PN<br/>A.7.1 Relaciones Boltzmann<br/>A.7.2 Mecanismo de inyección de portadores<br/>A.7.3 Componentes de corriente del diodo<br/>A.7.4 Corrección por recombinación en la región de agotamiento<br/>A.7.5 La unión pn en los puntos extremos de operación<br/>A.8 Transistor de unión bipolar<br/>A.8.1 Característica v-i del BJT<br/>A.8.2 Región angosta de la base del BJT<br/>A.8.3 El modelo de Ebers-Moll para el transistor<br/>A.9 Transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor<br/>A.9.1 Deducción de la característica v-i del MOSFET en modo incremental de canal n para un VDS pequeño<br/>A.9.2 Deducción de la característica v-i del MOSFET en modo incremental de canal n para un VDS grande<br/>APÉNDICE B Fabricación de dispositivos semiconductores y de circuitos integrados<br/>B.1 Vista general del proceso de fabricación<br/>B.2 Crecimiento epitaxial<br/>B.3 Oxidación<br/>B.4 Dopado de obleas<br/>B.5 Depósito de película<br/>B.6 Ataque químico de obleas<br/>R.7 Procesamiento litográfico<br/>B.8 Una secuencia de fabricación MOS<br/>B.9 Una secuencia de fabricación BJT<br/>APÉNDICE C Diseño de circuitos auxiliado por computadora, utilizando SPICE y PSpice<br/>C.1 Utilización de ápice<br/>C.2 Capacidades de SPICE y de PSPICE<br/>C.3 Descripción del circuito<br/>C.3.1 Resistores, capacitores e inductores<br/>C.3.2 Fuentes independientes <br/>C.3.3 Fuentes dependientes<br/>C.3.4 El enunciado .MODEL<br/>C.3.5 Semiconductores<br/>C.3.6 Cómo modelar amplificadores operacionales en SPICE<br/>C.3.7 Dispositivos no lineales arbitrarios (fuentes polinómicas)<br/>C.3.8 Definiciones de subcircuitos<br/>C.4 Tipos de análisis<br/>C.5 Cómo generar la salida<br/>C.6 Referencias <br/>APÉNDICE D Código de colores y valores estándar de resistores<br/>APÉNDICE E Sugerencias para lectura adicional<br/>Otros libros sobre electrónica<br/>Teoría de circuitos lineales<br/>Amplificadores operacionales<br/>Circuitos integrados analógicos<br/>Filtros activos<br/>Electrónica y dispositivos de potencia<br/>Circuitos y dispositivos digitales<br/>Circuitos BICMOS<br/>Dispositivos semiconductores
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia MICROELECTRONICA
Fuente del encabezamiento o término Spines
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia CIRCUITOS ELECTRICOS
Fuente del encabezamiento o término
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Fuente del encabezamiento o término
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Fuente del encabezamiento o término
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia CIRCUITOS LOGICOS
Fuente del encabezamiento o término
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Fuente del encabezamiento o término Spines
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Libros
Esquema de clasificación Universal Decimal Classification
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 1182
-- 1182
Existencias
Estado Estado perdido Esquema de Clasificación Estado de conservación Tipo de préstamo Tipo de colección Localización permanente Ubicación/localización actual ST Fecha de adquisición Origen de la adquisición Número de inventario Total Checkouts ST completa de Koha Código de barras Date last seen Número de patrimonio Número de copias Tipo de ítem Koha
    Universal Decimal Classification       Biblioteca "Ing. Alcides R. Martínez" Biblioteca "Ing. Alcides R. Martínez"   19/06/2002 Compra 1414   621.38 H781 1414 05/09/2024 1215.20 05/09/2024 Libros