Incluye índice alfabético

Bibliografía: p. 457459

I. SEMICONDUCTORES
1.1. Clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico
1.2. Estructura electrónica de los materiales sólidos
1.3. Conductores, semiconductores y aislantes
1.4. Semiconductores intrínsecos
1.4.1. Portadores de carga: concepto de hueco
1.4.2. Interpretación del esquema de bandas de energía
1.4.3. Fenómenos de conducción
1.4.4. Fenómenos de excitación de portadores
1.5. Semiconductores extrínsecos
1.5.1. Semiconductor tipo n
1.5.2. Semiconductor tipo p
1.6. Ley de acciones de masas
II. PROCESOS DE TRANSPORTE DE CARGA EN SEMICONDUCTORES
2.1. Cálculo de la concentración de portadores a la temperatura ambiente
2.2. Efecto de la temperatura en la concentración de portadores
2.2.1. Distribución en energía de los portadores
2.2.2. Cálculo de la concentración de portadores
2.2.3. Concertación de portadores intrínsecos
2.3. Determinación del nivel de fermi en un semiconductor
2.4. Procesos de conducción en semiconductores
2.5. Procesos de difusión
2.5.1. Semiconductores con dopaje no uniforme: curvatura de las bandas de energía
2.5.2. Constancia del nivel de Fermi
2.6. Procesos de inyección de portadores
2.6.1. Tiempo de vida de los portadores
2.6.2. Longitud de difusión
III. DIODOS SEMICONDUCTORES: UNIÓN P-N
3.1. La unión P-N
3.1.1. Comportamiento de la unión p-n sin polarización externa
3.1.2. La unión p-n polarizada con un voltaje externo
3.2. Variación del voltaje en la región de carga espacial
3.3. Cálculo de la corriente a través de la unión p-n
3.3.1. Concentración de portadores cuando no hay voltaje aplicado (V=0)
3.3.2. Concentración de portadores con un voltaje aplicado (V=0)
3.3.4. régimen de ruptura
3.4. Curva característica intensidad-voltaje del diodo
3.5. Capacidad asociada a la unión
3.5.2. Carga acumulada en la región de carga espacial
3.5.2. Carga acumulada en las regiones neutras
3.5.3. Tiempo de conmutación del diodo
IV. CONTACTOS METAL-SEMICONDUCTOR
4.1. Contacto barrera o rectificante
4.1.1. Diagrama de energía antes de formar el contacto: función de trabajo y afinidad electrónica
4.1.2. Formación del contrato
4.2. Contacto Ohmico
4.3. Curva característica I-V de la unión metal-semiconductor
4.3.1. Contacto barrera
4.3.2. Contacto óhmico
4.4. Influencia de los estados superficiales
4.5. Medida de la altura de la barrera de contacto
4.6. Aplicaciones de los contactos metal-semiconductor
4.6.1. Diodos Schottky
4.6.2. Contacto óhmicos para terminales de salida
V. APLICACIONES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES
5.1. El diodo como elemento rectificador
5.2. Circuitos limitadores
5.3. Estabilizadores de tensión: diodos Zener
5.4. Diodos especiales
5.4.1. Diodos inversos
5.4.2. Diodos túnel
5.4.3. Diodos de capacidad variable. varactores
5.4.4. Diodos p-i-n
5.5. Dispositivos optoelectrónicos
5.5.1. Fotoconductores
5.5.2. Diodos detectores de radiación: fotodiodos
5.5.3. Células solares
5.5.4. Diodos emisores de luz
5.5.5. Diodos láser
VI. TRANSISTORES BIPOLARES
6.1. Transistores bipolares de unión: descripción y nomenclatura
6.2. Funcionamiento del transistor
6.2.1. Operación en la región activa
6.2.2. Parámetros de diseño del transistor
6.2.3. Parámetros de funcionamiento como amplificador
6.3. Curvas características I-V de los transistores
6.3.1. Modelo de Ebers-Moll
6.3.2. Curvas I-V para la configuración de base común
6.3.3. Curvas I-V para la configuración emisor común
6.4. Efecto de modulación de la anchura de la base
6.5. Comportamiento en corriente alterna: circuito equivalente del transistor para señales pequeñas
6.5.1. Circuito equivalente en la configuración de base común
6.5.2. Circuito equivalente en la configuración de em. común
6.6. Comportamiento del transistor frente a pulsos de corriente
VII. Estructuras metal-aislante-semiconductor
7.1. La estructura Mos ideal
7.2. Potencial de superficie
7.3. Capacitancia de la estructura Mos ideal
7.3.1. Cálculo de la carga acumulada
7.3.2. Capacidad de la estructura Mos ideal: efecto de la tensión aplicada
7.4. Desviaciones del comportamiento ideal
7.5. Condensaciones Mos y dispositivos de acoplamiento de carga (CCD)
VIII. TRANSISTORES DE EFECTO campo (JFET, MESFET y MOSFET)
8.1. El transistor de efecto campo de unión (JFET)
8.1.1. descripción del transistor
8.1.2. Comportamiento cualitativo del JEFT
8.2. Cálculo de las características intensidad-voltaje del JFET
8.3. Circuito equivalente del JFET para señales pequeñas
8.4. El transistor de unión metal-semiconductor (MESFET)
8.5. Curvas características intensidades-voltaje del MESFET
8.6. Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto Campo (MOSFET)
8.6.1. Estructura básica del MOSFET
8.6.2. Descripción cualitativa del funcionamiento del MOSFGET
8.7. Cálculo de las características intensidad-voltaje del MOSFET
8.8. Circuito equivalente del MOSFET para señales pequeñas
8.9. Otros tipos de MOSFET
8.10. Aspectos tecnológicos del MOSFET
IX. APLICACIÓN DE LOS TRANSISTORES COMO DISPOSITIVOS AMPLIFICADORES
9.1. Circuitos amplificadores
9.2. El transistor bipolar como amplificador
9.2.1. circuito amplificador de base común
9.2.2. circuito amplificador de emisor común
9.3. Determinación del punto de funcionamiento del transistor en el circuito amplificador
9.3.1. circuito de entrada: determinación de la corriente de base
9.3.2. Circuito de salida. Recta de carga estática
9.3.3. circuito amplificador con una fuente de alimentación única
9.3.4. Acoplamiento de señales
9.3.5. Efecto de la resistencia de carga: recta de carga dinámica
9.4. Estabilidad del punto de trabajo
9.4.1. circuito de polarización universal o autopolarización
9.4.2. Factores de estabilidad en el punto de trabajo
9.5. Amplificadores con transistores de efecto campo de unión
9.6. Amplificadores con transistores tipo MOSFET
9.7. Respuesta en crecencia de los amplificadores
9.7.1. Región de bajas frecuencias
9.7.2. Región de altas frecuencias
X. Otros tipos de amplificadores
10.1. Amplificadores de potencia
10.1.1. Criterios generales de diseño
10.1.2. Amplificador acoplado por transformador
10.2. El amplificador “seguidor de emisor” como etapa de potencia (operación clase A, B y C)
10.3.1. amplificador clase b de transistores complementarios (amplificador tipo “push-pull”)
10.3.2. amplificadores sintonizados
10.4. Circuito amplificador con entrada flotante: amplificador diferencial
10.5. amplificadores multietapa o en cascada
XI. AMPLIFICADORES REALIMENTADOS Y OPERACIONALES
11.1. Amplificadores realimentados
11.2. Características de los amplificadores realimentados
11.2.1. Distintas configuraciones del circuito de realimentación
11.2.2. Estabilidad en la amplificación
11.2.3. Resistencia de entrada y de salida del amplificador realimentado
11.2.4. Efecto de la realimentación en la achura de banda
11.3. Ejemplos de circuitos amplificadores realimentados
11.4. Amplificadores operacionales
11.4.1. Características del amplificador operacional
11.4.2. Realimentación operacional: concepto de tierra virtual
11.5. Aplicaciones de los amplificadores operacionales
11.5.1. Circuito amplificador sumador
11.5.2. Circuito amplificador restador
11.5.3. Circuito integrador
11.5.4 Circuito diferenciador
11.5.5. Circuito medidor de corriente
11.5.6. Circuito seguidor de voltaje
11.5.7. Circuito amplificador logarítmico
11.5.8. El amplificador instrumental
11.5.9. Calculo analógico mediante amplificadores operacionales
XII. ELECTRÓNICA DIGITAL
12.1. Sistema binario
12.2. Puertas lógicas
12.3. Algebra de Boole
12.4. implementación de puertas lógicas
12.5. algunos ejemplos de circuitos digitales
12.5.1. circuito sumador
12.5.2. circuitos osciladores biestables (flips-flop)
12.5.3. circuitos de memoria
XIII. TECNOLOGÍA DE DISPOSITIVOS MICROELECTRÓNICOS
13.1. Circuitos integrados monolíticos
13.2. Tecnología planar
13.3. Crecimiento de silicio monocristalino
13.4. Crecimiento de la capa epitaxial de silicio
13.5. Formación de capas finas aislantes
13.5.1. Oxido de silicio
13.5.2. Oxido de silicio
13.5.2. Nitruro de silicio
13.6. Litografía
13.7. Proceso de dopaje de un semiconductor
13.7.1. Difusión de impurezas
13.7.2. Implantación iónica
13.8. Metalizaciones
13.8.1. Evaporación térmica
13.8.2. Pulverización catódica
13.8.3. Deposición química en fase vapor
13.8.4. Materiales utilizados en las metalizaciones
A. APÉNDICE: ANÁLISIS DE CIRCUITOS
A.1. Leyes de Kirchhoff
A.2. Circuitos con elementos no lineales
A.3. Algunas nociones sobre fuentes de alimentación