Fundamentos de electrónica física y microelectrónica / (Registro nro. 921)

Detalles MARC
000 -CABECERA
Campo de control de longitud fija 09724nam a2200361 i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
Número de control 921
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
Identificador del número de control AR-RqUTN
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
Códigos de información de longitud fija 240627s1996 d||||r|||| 001 0 spa d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
ISBN 9780201653632
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador de origen AR-RqUTN
Lengua de catalogación spa
Centro transcriptor AR-RqUTN
041 #7 - CÓDIGO DE LENGUA
Código de lengua del texto es
Fuente del código ISO 639-1
080 0# - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL UNIVERSAL
Clasificación Decimal Universal 621.38
Edición de la CDU 2000
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre personal Albella, José María
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Fundamentos de electrónica física y microelectrónica /
Mención de responsabilidad J. M. Albella, J. M. Martínez-Duart
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Lugar de publicación, distribución, etc. Wilmington :
Nombre del editor, distribuidor, etc. Addison-Wesley Iberoamericana,
Fecha de publicación, distribución, etc. 1996
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión xvi, 476 p. :
Otras características físicas fig. ;
Dimensiones 24 cm
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Fuente rdacontent
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
337 ## - TIPO DE MEDIO
Fuente rdamedia
Nombre del tipo de medio sin mediación
Código del tipo de medio n
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Fuente rdacarrier
Nombre del tipo de soporte volumen
Código del tipo de soporte nc
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Incluye índice alfabético
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC.
Nota de bibliografía, etc. Bibliografía: p. 457459
505 00 - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato I. SEMICONDUCTORES<br/>1.1. Clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico<br/>1.2. Estructura electrónica de los materiales sólidos<br/>1.3. Conductores, semiconductores y aislantes<br/>1.4. Semiconductores intrínsecos<br/>1.4.1. Portadores de carga: concepto de hueco<br/>1.4.2. Interpretación del esquema de bandas de energía<br/>1.4.3. Fenómenos de conducción<br/>1.4.4. Fenómenos de excitación de portadores<br/>1.5. Semiconductores extrínsecos<br/>1.5.1. Semiconductor tipo n<br/>1.5.2. Semiconductor tipo p<br/>1.6. Ley de acciones de masas<br/>II. PROCESOS DE TRANSPORTE DE CARGA EN SEMICONDUCTORES<br/>2.1. Cálculo de la concentración de portadores a la temperatura ambiente<br/>2.2. Efecto de la temperatura en la concentración de portadores<br/>2.2.1. Distribución en energía de los portadores <br/>2.2.2. Cálculo de la concentración de portadores<br/>2.2.3. Concertación de portadores intrínsecos<br/>2.3. Determinación del nivel de fermi en un semiconductor<br/>2.4. Procesos de conducción en semiconductores<br/>2.5. Procesos de difusión<br/>2.5.1. Semiconductores con dopaje no uniforme: curvatura de las bandas de energía<br/>2.5.2. Constancia del nivel de Fermi<br/>2.6. Procesos de inyección de portadores<br/>2.6.1. Tiempo de vida de los portadores<br/>2.6.2. Longitud de difusión<br/>III. DIODOS SEMICONDUCTORES: UNIÓN P-N<br/>3.1. La unión P-N<br/>3.1.1. Comportamiento de la unión p-n sin polarización externa<br/>3.1.2. La unión p-n polarizada con un voltaje externo<br/>3.2. Variación del voltaje en la región de carga espacial<br/>3.3. Cálculo de la corriente a través de la unión p-n<br/>3.3.1. Concentración de portadores cuando no hay voltaje aplicado (V=0)<br/>3.3.2. Concentración de portadores con un voltaje aplicado (V=0)<br/>3.3.4. régimen de ruptura<br/>3.4. Curva característica intensidad-voltaje del diodo<br/>3.5. Capacidad asociada a la unión<br/>3.5.2. Carga acumulada en la región de carga espacial<br/>3.5.2. Carga acumulada en las regiones neutras<br/>3.5.3. Tiempo de conmutación del diodo<br/>IV. CONTACTOS METAL-SEMICONDUCTOR<br/>4.1. Contacto barrera o rectificante<br/>4.1.1. Diagrama de energía antes de formar el contacto: función de trabajo y afinidad electrónica<br/>4.1.2. Formación del contrato<br/>4.2. Contacto Ohmico<br/>4.3. Curva característica I-V de la unión metal-semiconductor<br/>4.3.1. Contacto barrera<br/>4.3.2. Contacto óhmico<br/>4.4. Influencia de los estados superficiales<br/>4.5. Medida de la altura de la barrera de contacto<br/>4.6. Aplicaciones de los contactos metal-semiconductor<br/>4.6.1. Diodos Schottky<br/>4.6.2. Contacto óhmicos para terminales de salida<br/>V. APLICACIONES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES<br/>5.1. El diodo como elemento rectificador<br/>5.2. Circuitos limitadores<br/>5.3. Estabilizadores de tensión: diodos Zener<br/>5.4. Diodos especiales<br/>5.4.1. Diodos inversos<br/>5.4.2. Diodos túnel<br/>5.4.3. Diodos de capacidad variable. varactores<br/>5.4.4. Diodos p-i-n<br/>5.5. Dispositivos optoelectrónicos<br/>5.5.1. Fotoconductores<br/>5.5.2. Diodos detectores de radiación: fotodiodos<br/>5.5.3. Células solares<br/>5.5.4. Diodos emisores de luz<br/>5.5.5. Diodos láser<br/>VI. TRANSISTORES BIPOLARES<br/>6.1. Transistores bipolares de unión: descripción y nomenclatura<br/>6.2. Funcionamiento del transistor<br/>6.2.1. Operación en la región activa<br/>6.2.2. Parámetros de diseño del transistor<br/>6.2.3. Parámetros de funcionamiento como amplificador<br/>6.3. Curvas características I-V de los transistores<br/>6.3.1. Modelo de Ebers-Moll<br/>6.3.2. Curvas I-V para la configuración de base común<br/>6.3.3. Curvas I-V para la configuración emisor común<br/>6.4. Efecto de modulación de la anchura de la base<br/>6.5. Comportamiento en corriente alterna: circuito equivalente del transistor para señales pequeñas<br/>6.5.1. Circuito equivalente en la configuración de base común<br/>6.5.2. Circuito equivalente en la configuración de em. común<br/>6.6. Comportamiento del transistor frente a pulsos de corriente<br/>VII. Estructuras metal-aislante-semiconductor<br/>7.1. La estructura Mos ideal<br/>7.2. Potencial de superficie<br/>7.3. Capacitancia de la estructura Mos ideal<br/>7.3.1. Cálculo de la carga acumulada<br/>7.3.2. Capacidad de la estructura Mos ideal: efecto de la tensión aplicada<br/>7.4. Desviaciones del comportamiento ideal<br/>7.5. Condensaciones Mos y dispositivos de acoplamiento de carga (CCD)<br/>VIII. TRANSISTORES DE EFECTO campo (JFET, MESFET y MOSFET)<br/>8.1. El transistor de efecto campo de unión (JFET)<br/>8.1.1. descripción del transistor<br/>8.1.2. Comportamiento cualitativo del JEFT<br/>8.2. Cálculo de las características intensidad-voltaje del JFET<br/>8.3. Circuito equivalente del JFET para señales pequeñas<br/>8.4. El transistor de unión metal-semiconductor (MESFET)<br/>8.5. Curvas características intensidades-voltaje del MESFET<br/>8.6. Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto Campo (MOSFET)<br/>8.6.1. Estructura básica del MOSFET<br/>8.6.2. Descripción cualitativa del funcionamiento del MOSFGET<br/>8.7. Cálculo de las características intensidad-voltaje del MOSFET<br/>8.8. Circuito equivalente del MOSFET para señales pequeñas<br/>8.9. Otros tipos de MOSFET<br/>8.10. Aspectos tecnológicos del MOSFET<br/>IX. APLICACIÓN DE LOS TRANSISTORES COMO DISPOSITIVOS AMPLIFICADORES<br/>9.1. Circuitos amplificadores<br/>9.2. El transistor bipolar como amplificador<br/>9.2.1. circuito amplificador de base común<br/>9.2.2. circuito amplificador de emisor común<br/>9.3. Determinación del punto de funcionamiento del transistor en el circuito amplificador<br/>9.3.1. circuito de entrada: determinación de la corriente de base<br/>9.3.2. Circuito de salida. Recta de carga estática<br/>9.3.3. circuito amplificador con una fuente de alimentación única<br/>9.3.4. Acoplamiento de señales<br/>9.3.5. Efecto de la resistencia de carga: recta de carga dinámica<br/>9.4. Estabilidad del punto de trabajo<br/>9.4.1. circuito de polarización universal o autopolarización<br/>9.4.2. Factores de estabilidad en el punto de trabajo<br/>9.5. Amplificadores con transistores de efecto campo de unión<br/>9.6. Amplificadores con transistores tipo MOSFET<br/>9.7. Respuesta en crecencia de los amplificadores<br/>9.7.1. Región de bajas frecuencias<br/>9.7.2. Región de altas frecuencias<br/>X. Otros tipos de amplificadores<br/>10.1. Amplificadores de potencia<br/>10.1.1. Criterios generales de diseño<br/>10.1.2. Amplificador acoplado por transformador<br/>10.2. El amplificador “seguidor de emisor” como etapa de potencia (operación clase A, B y C)<br/>10.3.1. amplificador clase b de transistores complementarios (amplificador tipo “push-pull”)<br/>10.3.2. amplificadores sintonizados<br/>10.4. Circuito amplificador con entrada flotante: amplificador diferencial<br/>10.5. amplificadores multietapa o en cascada<br/>XI. AMPLIFICADORES REALIMENTADOS Y OPERACIONALES<br/>11.1. Amplificadores realimentados<br/>11.2. Características de los amplificadores realimentados<br/>11.2.1. Distintas configuraciones del circuito de realimentación<br/>11.2.2. Estabilidad en la amplificación<br/>11.2.3. Resistencia de entrada y de salida del amplificador realimentado<br/>11.2.4. Efecto de la realimentación en la achura de banda<br/>11.3. Ejemplos de circuitos amplificadores realimentados<br/>11.4. Amplificadores operacionales<br/>11.4.1. Características del amplificador operacional<br/>11.4.2. Realimentación operacional: concepto de tierra virtual<br/>11.5. Aplicaciones de los amplificadores operacionales<br/>11.5.1. Circuito amplificador sumador<br/>11.5.2. Circuito amplificador restador<br/>11.5.3. Circuito integrador<br/>11.5.4 Circuito diferenciador<br/>11.5.5. Circuito medidor de corriente<br/>11.5.6. Circuito seguidor de voltaje<br/>11.5.7. Circuito amplificador logarítmico<br/>11.5.8. El amplificador instrumental<br/>11.5.9. Calculo analógico mediante amplificadores operacionales<br/>XII. ELECTRÓNICA DIGITAL<br/>12.1. Sistema binario<br/>12.2. Puertas lógicas<br/>12.3. Algebra de Boole<br/>12.4. implementación de puertas lógicas<br/>12.5. algunos ejemplos de circuitos digitales<br/>12.5.1. circuito sumador<br/>12.5.2. circuitos osciladores biestables (flips-flop)<br/>12.5.3. circuitos de memoria<br/>XIII. TECNOLOGÍA DE DISPOSITIVOS MICROELECTRÓNICOS<br/>13.1. Circuitos integrados monolíticos<br/>13.2. Tecnología planar<br/>13.3. Crecimiento de silicio monocristalino<br/>13.4. Crecimiento de la capa epitaxial de silicio<br/>13.5. Formación de capas finas aislantes<br/>13.5.1. Oxido de silicio<br/>13.5.2. Oxido de silicio<br/>13.5.2. Nitruro de silicio<br/>13.6. Litografía<br/>13.7. Proceso de dopaje de un semiconductor<br/>13.7.1. Difusión de impurezas<br/>13.7.2. Implantación iónica<br/>13.8. Metalizaciones<br/>13.8.1. Evaporación térmica<br/>13.8.2. Pulverización catódica<br/>13.8.3. Deposición química en fase vapor<br/>13.8.4. Materiales utilizados en las metalizaciones<br/>A. APÉNDICE: ANÁLISIS DE CIRCUITOS<br/>A.1. Leyes de Kirchhoff<br/>A.2. Circuitos con elementos no lineales<br/>A.3. Algunas nociones sobre fuentes de alimentación
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
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650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia DIODOS SEMICONDUCTORES
Fuente del encabezamiento o término Spines
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia TRANSISTORES
Fuente del encabezamiento o término Spines
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Fuente del encabezamiento o término
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Fuente del encabezamiento o término
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia MICROELECTRONICA
Fuente del encabezamiento o término Spines
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre personal Martínez-Duart, José Manuel
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Libros
Esquema de clasificación Universal Decimal Classification
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 921
-- 921
Existencias
Estado Estado perdido Esquema de Clasificación Estado de conservación Tipo de préstamo Tipo de colección Localización permanente Ubicación/localización actual ST Fecha de adquisición Origen de la adquisición Número de inventario Total Checkouts ST completa de Koha Código de barras Date last seen Número de copias Tipo de ítem Koha
    Universal Decimal Classification       Biblioteca "Ing. Alcides R. Martínez" Biblioteca "Ing. Alcides R. Martínez"   27/06/2024 Donación 1061   621.38 Al13 1061 27/06/2024 27/06/2024 Libros